插件三极管特性

三极管饱和区的特点是，三级管的电流与IB和VCE有关，但是与VCE相关程度更大，因为可以看到当VCE固定时，不同的IB变化引起的IC变化不大；但是反过来，IB固定，VCE变化一点点就会引起IC剧烈变化，换句话说三极管已经饱和了，已经不受控于IB而受控于VCE了。饱和的意思就是满了，我们可以用向水杯子倒水的模型来理解这个过程，IB就是倒水的水流，IC就是水面的高度，VCE就是指水面的高度。饱和就是指水满了，饱和时状态所示，此时水面高度IC已经满了（已经饱和）不受控于IB了，而受控于水杯的高度VCE，如果想要进一步增加IC，就需要增加水杯高度VCE，这样理解饱和这个概念就更形象易懂了。三极管封装形式指定该管的外观形状，如果其它参数都正确，封装不同将导致组件无法在电路板上实现。插件三极管特性

三极管的工作原理：放大原理因三极管三个区制作工艺的设定以及内部的两个PN结相互影响，使三极管呈现出单个PN结所没有的电流放大的功能。外加偏置电源配置：要求发射结正偏，集电结反偏。三极管在实际的放大电路中使用时，还需要外加合适的偏置电路。原因是：由于三极管BE结的非线性，基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生(对于硅管，常取0.7v)。当基极与发射极之间的电压小于0.7v时，基极电流就可以认为是0。放大区的特点是，随着IB的增加，IC也增加，IC主要受控于IB，与VCE关系不大，上图清晰地描述了这个现象。通俗点说就是用IB来控制IC，所有三极管是电流控制型器件。还是以水杯模型来加深记忆，放大状态的水杯中，不管水杯高度VCE是多高，IC的高度只受控于IB。杭州整流三极管参数三极管输出信号的能量实际上是由直流电源提供的，只是经过三极管的控制，使之转换成信号能量，提供给负载。

三极管放大原理发射区向基区发射电子电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子（自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。

三极管基本的作用是放大作用，它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号，当然这种转换仍然遵循能量守恒，它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。三极管有一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的基极上加一个微小的电流时，在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流，即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化，并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化，这就是三极管的放大作用。 三极管还可以作电子开关，配合其它元件还可以构成振荡器。 半导体三极管除了构成放大器和作开关元件使用外，还能够做成一些可单独使用的两端或三端器件。三极管选择“开关三极管”，以提高开关转换速度。

三极管基极有电流流动时；由于B极和E极之间有正向电压，所以电子从发射极向基极移动，又因为C极和E极间施加了反向电压，因此，从发射极向基极移动的电子，在高电压的作用下，通过基极进入集电极。于是，在基极所加的正电压的作用下，发射极的大量电子被输送到集电极，产生很大的集电极电流。基极无电流流动时；在B极和E极之间不能施加电压的状态时，由于C极和E极间施加了反向电压，所以集电极的电子受电源正电压吸引而在C极和E极之间产生空间电荷区，阻碍了从发射极向集电极的电子流动，因而就没有集电极电流产生。NPN型三极管，适合射极接GND集电极接负载到VCC的情况。杭州整流三极管参数

晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。插件三极管特性

电子制作中常用的三极管有9 0× ×系列，包括低频小功率硅管9013（NPN）、9012（PNP），低噪声管9014（NPN），高频小功率管9018（NPN）等。它们的型号一般都标在塑壳上，而样子都一样，都是TO-92标准封装。在老式的电子产品中还能见到3DG6（低频小功率硅管）、3AX31 （低频小功率锗管） 等，它们的型号也都印在金属的外壳上。一部分的3表示为三极管。 二部分表示器件的材料和结构，A： PNP型锗材料 B： NPN型锗材料 C： PNP型硅材料 D： NPN型硅材料 三部分表示功能，U：光电管 K：开关管 X：低频小功率管 G：高频小功率管 D：低频大功率管 A：高频大功率管。另外，3DJ型为场效应管，BT打头的表示半导体特殊元件。插件三极管特性

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